同质结是一种半导体器件或界面，发生在带隙相等但掺杂浓度不同的类似材料层之间。大多数情况下，它发生在n型（称为供体掺杂）和p型（称为受体掺杂）半导体之间的界面，如硅。例如，n型到n型结也会被认为是同型结，即使掺杂水平不同。换句话说，同质结就是同一种半导体形成的结，包括pn结、pp结、nn结。
什么是异质结？
异质结是发生在两层或不同材料/晶体半导体或固态材料的区域之间的界面。多个异质结集中在一起的装置被称为异质结构。
要制造异质结一般需要使用分子束外延（MBE）或化学气相沉积（CVD）技术。异质结的一些专门应用是：
太阳能电池：1983年，带内在薄层的异质结（HIT）太阳能电池结构首次被开发出来，并最终由三洋/松下公司将其商业化。本质薄层（HIT）太阳能电池是目前最有效的单结硅电池之一，因为它的转换效率为26.7%。
激光：-通过将较小的直接带隙材料如砷化镓（GaAs）和两个较大的带隙层如砷化铝（AlAs）结合在一起，可以使载流子变得非常小，这样就可以在室温下以低阈值电流发生激光。使用半导体激光的主要优点之一是，异质结构可以用作波导。
双极晶体管：-当异质结用于双极结晶体管时，它将获得极高的正向增益和低反向增益。这导致了非常好的高频操作（数值在几十到几百GHz），并且具有低漏电流。这样的器件被称为异质结双极晶体管（HBT）。
场效应晶体管：-它被用于高电子迁移率晶体管（HEMT），它可以在明显更高的频率下工作（超过500 GHz）。
总而言之，异质结是一种特殊的PN结，由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成，这些材料具有不同的能带隙，它们可以是砷化镓之类的化合物，也可以是硅-锗之类的半导体合金。
扩展资料
肖特基结太阳电池,利用金属-半导体界面上的肖特基势垒而构成的太阳电池称为肖特基结太阳电池，简称MS电池。目前已发展为金属-氧化物-半导体( MOS)、金属-绝缘体-半导体( MIS)太阳电池等。
复合结太阳电池，由两个或多个P-N结形成的太阳电池称为复合结太阳电池，又分为垂直多结太阳电池和水平多结太阳电池。如由一个( MIS)太阳电池和一个P-N结硅电池叠合可形成高效MISNP复合结硅太阳电池，其效率已达22%。复合结太阳电池往往做成级联型，把宽禁带材料放在顶区,吸收阳光中的高能光子;用窄禁带材料吸收低能光子，使整个电池的光谱响应拓宽。目前研制的砷化铝镓-砷化镓-硅太阳电池的效率已高达31%。
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